Resistive RAM sarà la tecnologia degli smartphone del futuro?

In futuro potremmo disporre di smartphone equipaggiati con 1 TB di RAM. Com'è possibile? Grazie alla RRAM, il cui processo di formazione è stato reso più rapido e soprattutto economico.

di Daniele Sforza, pubblicato il
In futuro potremmo disporre di smartphone equipaggiati con 1 TB di RAM. Com'è possibile? Grazie alla RRAM, il cui processo di formazione è stato reso più rapido e soprattutto economico.

Altro che smartphone equipaggiati con 3 GB di RAM! Già si parla di smartphone del futuro con ben 1 TB di RAM grazie a delle ricerche condotte dalla Rice University sita in Texas sulla cosiddetta RRAM, ovvero Resistive Random Access Memory. Ed è proprio su quel Resistive che va focalizzata l’attenzione, poiché consente di equipaggiare gli smartphone di 1 TB (TeraByte) di RAM. Oro, platino e ossido di silicio sono gli “ingredienti” principali che sono alla base di questa tecnologia, con il silicio che sta assumendo particolare rilevanza nel campo della materialistica tecnologica grazie ai requisiti insiti che lo caratterizzano, legati soprattutto al risparmio economico ed energetico.   LEGGI ANCHE Ecco quali sono i 10 smartphone più performanti del secondo trimestre 2014  

RRAM: tanta RAM in uno spazio contenuto

Ciò che sta facendo discutere i siti specializzati del settore è proprio questo nuovo sistema che potrebbe essere alla base degli smartphone del futuro, soprattutto perché in poco spazio sarà possible immagazzinare 1 TB di RAM, con una velocità 100 volte maggiore rispetto alla RAM tradizionale, anche attraverso la triplicazione del numero di bits per cella e che funziona grazie a un passaggio di corrente tramite un materiale dielettrico.

La grande novità della RRAM sta nella sua economizzazione attuale, visto che in passato la sua produzione richiedeva costi esagerati e lunghe tempistiche. La ricerca condotta dalla Rice University ha invece portato alla formazione di un processo più rapido ed economico, che sfrutta proprio l’ossido di silicio di cui abbiamo parlato sopra e che contiene gli elettrodi attraverso cui avviene il passaggio di corrente. In base alle ricerche effettuate si è scoperto che un impulso a bassa tensione applicato al silicio consente una memorizzazione di una certa quantità di bit di dati, la cui stratificazione permette di concentrare una ingente molteplicità di informazioni in dispositivi grandi quanto un francobollo.

Si dice che già entro la fine del 2014 potremmo vedere i primi dispositivi equipaggiati con RRAM, ma non saranno gli smartphone: per questi, che farebbero molto più rumore visto che al momento la capacità massima è di 3 GB, bisognerà aspettare ancora un (bel) po’.

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Argomenti: Nuove tecnologie