Samsung Galaxy S8 insuperabile? Arriva SnapDragon 835 con Quick Charge 4 e architettura 10 nm

Gli ultimi rumors dalla casa coreana indicano che il nuovo top gamma 2017, l'attesissimo Samsung Galaxy S8, potrebbe montare il nuovo Qualcomm SnapDragon 835 con 10 nm e Quick Charge 4. La rivoluzione è prossima. Ecco tutte le potenzialità della nuova tecnologia.

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Gli ultimi rumors dalla casa coreana indicano che il nuovo top gamma 2017, l'attesissimo Samsung Galaxy S8, potrebbe montare il nuovo Qualcomm SnapDragon 835 con 10 nm e Quick Charge 4. La rivoluzione è prossima. Ecco tutte le potenzialità della nuova tecnologia.

Il Samsung Galaxy S8 potrebbe essere realmente uno smartphone mai visto prima, con potenzialità fuori dal comune e un hardware assolutamente invidiabile: gli ultimi rumors infatti parlano soprattutto della presentazione da parte della Qualcomm, durante lo Snapdragon Technology Summit tenutosi a New York, del nuovo processore SnapDragon 835, il quale presenta un’architettura con processo produttivo FinFET a 10 nm (nanometri) con l’aiuto degli sviluppatori e degli ingegneri Samsung.

In più, si parla anche di Quick Charge 4, per il gravoso problema di scarsa durata della batteria che presentano praticamente tutti gli smartphone. Se veramente il flagship della casa coreana dovesse montare queste novità, allora assisteremmo realmente a una rivoluzione, qualcosa di mai visto fino ad oggi nel panorama mobile.

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SnapDragon 835 per il Samsung Galaxy S8: rumors aggiornati ad oggi 18 novembre

Quali sono le novità che potrebbe introdurre il nuovo processore SnapDragon 835 per il Samsung Galaxy S8? Come abbiamo già visto, si tratta di un SoC che, grazie all’architettura in 10 nanometri, promette altissime prestazioni. Per comprendere la differenza, basta sottolineare come gli SnapDragon più avanzati, 820 e 821, sono realizzati con un processo produttivo che prevede 14 nanometri; questa differenza (10 nm al posto di 14 nm) può essere decisiva: significa, in parole semplici, che la riduzione delle dimensioni del processore porterebbe da un lato a migliori performance e dall’altro alla possibilità di un maggiore risparmio energetico.

In realtà, la Qualcomm, in sede di presentazione, non si è soffermata sulle potenzialità future del SoC, le quali, però, erano state già anticipate proprio dalla Samsung: sembra, infatti, che SnapDragon 835 possa portare a un aumento del 40% dell’autonomia energetica e addirittura a un miglioramento delle prestazioni del 27%. Insomma, una piccola grande rivoluzione in casa Samsung.

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Quick Charge 4: rumors aggiornati oggi 18 novembre Samsung Galaxy S8

Ma non è tutto. Durante la presentazione di SnapDragon 835 si è parlato anche di un nuovo supporto Quick Charge 4.

Anche in questo caso, si tratta di un atto dovuto: il dispositivo, infatti, non solo permette ricariche più veloci, ma anche più sicure, con un procedimento che calcola il rapporto tra tensione, temperatura e corrente, in maniera da evitare surriscaldamenti ed eventuali esplosioni di batterie (insomma, la Samsung è corsa ai ripari dopo la vicenda ‘Note 7’). Il nuovo Samsung Galaxy S8, dunque, potrebbe essere dotato di questo sistema che, rispetto al Quick Charge 3, risulta pienamente compatibile con USB di tipo C e USB ‘Power Delivery’, oltre ad offrire una migliore resa. Il quadro del nuovo top gamma 2017 della Samsung si chiarisce sempre di più. La sfida a iPhone 7 (e, probabilmente, a iPhone 8) è lanciata.

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